in ,

NAND ‘υψηλων ταχυτητων’ απο Micron & Intel.

Η εταιρεία Micron σε συνεργασία με την Intel, ανακοίνωσε μια νέα NAND Flash Memory τεχνολογία υψηλών ταχυτήτων, η οποία μπορεί να αυξήσει κατά πολύ τον συντελεστή μεταφοράς για τις συσκευές αποθήκευσης οι οποίες είναι βασισμένες στο πυρίτιο. Οι δύο εταιρείες ισχυρίζονται ότι η τεχνολογία αυτή είναι 5 φορές ταχύτερη απο αυτή των συμβατικών NAND και μπορεί να φτάσει μέχρι ταχύτητες των 200mb/sec για την ανάγνωση δεδομένων και 100mb/sec για την εγγραφή τους.

Οι Βελτιωμένες αυτές ταχύτητες προέκυψαν από την χρήση του ONFI 2.0 (Open NAND Flash Interface) σε συνδυασμό με μια ”four-plane” αρχιτεκτονική και υψηλότερες ταχύτητες ρολογιών (clock speeds).

Η Νέα αυτή τεχνολογία αναμένεται να εμφανιστεί κυρίως σε συσκευές όπως: κινητά τηλέφωνα, υβριδικοί δίσκοι, κάμερες και άλλες φορητές ηλεκτρονικές συσκευές τέτοιου τύπου. Η κυκλοφορία τέτοιων προϊόντων ορίζεται κατά το δεύτερο εξάμηνο του ’08 και θα χρειαστεί να πριμοδοτηθούν ποσά ανάλογα της απόδοσης της τεχνολογίας..!

[via, photo]

Written by wise

Comments

Αφήστε μια απάντηση

Η ηλ. διεύθυνση σας δεν δημοσιεύεται.

Loading…

0

Money show 08′ – Νεολαία σε Δράση (Ζάππειο Μέγαρο)

Microsoft πατεντα συσκευασιας…